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1. 中国科学院长春物理研究所
2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室
收稿:1996-09-28,
纸质出版:1997-05-30
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于广友, 范希武, 张吉英, 杨宝均, 申德振, 吕有明. 低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱[J]. 发光学报, 1997,18(2): 95-99
Yu Guangyou, Fan Xiwu, Zhang Jiying, Yang Baojun, Shen Dezhen, Lü Youming. PREPARATION OF CdS ZnS STRAINED LAYER MUTIPLE QUANTUM WELLS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 95-99
于广友, 范希武, 张吉英, 杨宝均, 申德振, 吕有明. 低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱[J]. 发光学报, 1997,18(2): 95-99 DOI:
Yu Guangyou, Fan Xiwu, Zhang Jiying, Yang Baojun, Shen Dezhen, Lü Youming. PREPARATION OF CdS ZnS STRAINED LAYER MUTIPLE QUANTUM WELLS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 95-99 DOI:
本文报道了用低压(LP)-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱结构.通过X-射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构
并通过77K下的光致发光(PL)光谱
观测到了大的垒层对电子的限制效应及由大的应变引起的阱层带边变化所导致的发光峰蓝移.
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