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液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究

    • PROPERTIES OF UNDOPED BULK InP GROWN BY LIQUIDENCAPSULATED VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE

    • 发光学报   1997年18卷第3期 页码：205-211

    • 收稿：1996-12-09，

      纸质出版：1997-08-30

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  • 康俊勇, 黄启圣, 松本文夫, 福田承生. 液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究[J]. 发光学报, 1997,18(3): 205-211 DOI：

    Kang Junyong, Huang Qisheng, Matsumoto Fumio, Fukuda Tsuguo. PROPERTIES OF UNDOPED BULK InP GROWN BY LIQUIDENCAPSULATED VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(3): 205-211 DOI：

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