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InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征

    • GROWTH AND CHARACTERIZATION OF THE MOCVD GROWN InAs AND InAs/GaSb HETEROSTRUCTURE

    • 发光学报   1997年18卷第3期 页码：223-227

    • 收稿：1997-03-14，

      纸质出版：1997-08-30

    移动端阅览

  • 周天明, 张宝林, 蒋红, 宁永强, 李树纬, 金亿鑫. InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征[J]. 发光学报, 1997,18(3): 223-227 DOI：

    Zhou Tianming, Zhang Baolin, Jiang Hong, Ning Yongqiang, Li Shuwei, Jin Yixin. GROWTH AND CHARACTERIZATION OF THE MOCVD GROWN InAs AND InAs/GaSb HETEROSTRUCTURE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(3): 223-227 DOI：

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上海空间电源研究所
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集成光电子学国家重点实验室 吉林大学电子科学与工程学院
集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院
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