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锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究
发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

    • 锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

    • THE THEORETICAL AND EXPERIMENTAL RESEARCH OF THE NEAR-BAND-GAP OPTICAL TRANSITION IN SiGe/Si QUANTUM WELL

    • 发光学报   1996年17卷第4期 页码：311-316

    • 收稿：1996-02-28，

      纸质出版：1996-11-30

    移动端阅览

  • 董文甫, 王启明, 杨沁清, 谢小刚, 周钧铭, 黄绮. 锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究[J]. 发光学报, 1996,17(4): 311-316 DOI：

    Dong Wenfu, Wang Qiming, Yang Qinqing, Xie Xiaogang, Zhou Junming, Huang Qi. THE THEORETICAL AND EXPERIMENTAL RESEARCH OF THE NEAR-BAND-GAP OPTICAL TRANSITION IN SiGe/Si QUANTUM WELL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(4): 311-316 DOI：

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