SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
- PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTROLUMINESCENCE FROM SiGe/Si QUANTUM WELL WITH LOW TEMPERATURES
- 发光学报 1996年17卷第2期页码：128-132
- 作者机构：
  
  1. 集成光电子学国家联合实验室
  2. 中国科学院半导体所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1995-07-26，
  
  纸质出版：1996-05-30
- 稿件说明：
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董文甫, 王启明, 杨沁清, 崔堑, 周钧铭, 黄绮. SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光[J]. 发光学报, 1996,17(2): 128-132

Dong Wenfu, Wang Qiming, Yang Qinqing, Chui Qian, Zhou Junming, Huang Qi. PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTROLUMINESCENCE FROM SiGe/Si QUANTUM WELL WITH LOW TEMPERATURES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 128-132
董文甫, 王启明, 杨沁清, 崔堑, 周钧铭, 黄绮. SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光[J]. 发光学报, 1996,17(2): 128-132 DOI：

Dong Wenfu, Wang Qiming, Yang Qinqing, Chui Qian, Zhou Junming, Huang Qi. PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTROLUMINESCENCE FROM SiGe/Si QUANTUM WELL WITH LOW TEMPERATURES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 128-132 DOI：

使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料

在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性。

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相关机构

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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

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北京科技大学材料物理系

中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学实验室

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