ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布
- THE QUANTUM EFFICIENCY AND HOT ELECTRON DISTRIBUTION OF ZnS:Tb TFEL DEVICES
- 发光学报 1996年17卷第1期页码：38-42
- 作者机构：
  
  上海大学嘉定校区材料科学系, 上海201800
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1995-03-27，
  
  纸质出版：1996-02-29
- 稿件说明：
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赵伟明, 唐春玖, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿. ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布[J]. 发光学报, 1996,17(1): 38-42

Zhao Weiming, Tang Chunjiu, Jiang Xueyin, Zhang Zhilin, Xu Shaohong. THE QUANTUM EFFICIENCY AND HOT ELECTRON DISTRIBUTION OF ZnS:Tb TFEL DEVICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 38-42
赵伟明, 唐春玖, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿. ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布[J]. 发光学报, 1996,17(1): 38-42 DOI：

Zhao Weiming, Tang Chunjiu, Jiang Xueyin, Zhang Zhilin, Xu Shaohong. THE QUANTUM EFFICIENCY AND HOT ELECTRON DISTRIBUTION OF ZnS:Tb TFEL DEVICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(1): 38-42 DOI：

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS:Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比

(

)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率

计算了碰撞截面

分析ZnS:Tb的过热电子的分布

并与ZnS:Mn进行了比较.指出了ZnS:Tb效率与ZnS:Mn效率差异的可能原因.

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