ZnSe:A1深能级的研究

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ZnSe:A1深能级的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnSe:A1深能级的研究
- DEEP LEVELS IN ZnSe:Al
- 发光学报 1995年16卷第4期页码：312-316
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472
- 收稿：1995-01-09，
  
  纸质出版：1995-11-30
- 稿件说明：
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王吉丰, 黄锡珉, 张志舜. ZnSe:A1深能级的研究[J]. 发光学报, 1995,16(4): 312-316

Wang Jifeng, Huang Ximin, Zhang Zhishun. DEEP LEVELS IN ZnSe:Al[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 312-316
王吉丰, 黄锡珉, 张志舜. ZnSe:A1深能级的研究[J]. 发光学报, 1995,16(4): 312-316 DOI：

Wang Jifeng, Huang Ximin, Zhang Zhishun. DEEP LEVELS IN ZnSe:Al[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(4): 312-316 DOI：

为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为

首先测量了Znse单晶体中的深能级

发现只存在E

-0.33eV一个电子陷阱。然后

通过热扩散的方法

在300℃～700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中

结果发现存在E

-0.33eV和E

-0.70eV两个电子陷阱。本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和E

-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论。

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