薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据

徐春祥; 娄志东; 徐叙瑢

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薄膜电致发光器件中SiO₂加速作用的直接证据

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 薄膜电致发光器件中SiO₂加速作用的直接证据
- THE DIRECT EVIDENCE OF THE ACCELERATING ACTION OF SiO₂ IN TFEL DEVICES
- 发光学报 1995年16卷第3期页码：187-191
- 作者机构：
  
  天津理工学院材料物理研究所, 天津 300191
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1994-10-27，
  
  纸质出版：1995-08-30
- 稿件说明：
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徐春祥, 娄志东, 徐叙瑢. 薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据[J]. 发光学报, 1995,16(3): 187-191

Xu Chunxiang, Lou Zhidong, Xu Xurong. THE DIRECT EVIDENCE OF THE ACCELERATING ACTION OF SiO2 IN TFEL DEVICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 187-191
徐春祥, 娄志东, 徐叙瑢. 薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据[J]. 发光学报, 1995,16(3): 187-191 DOI：

Xu Chunxiang, Lou Zhidong, Xu Xurong. THE DIRECT EVIDENCE OF THE ACCELERATING ACTION OF SiO2 IN TFEL DEVICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 187-191 DOI：

摘要

本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究

直接证明了SIO

对CdS中产生的电子有良好的加速作用

并获得了阈值电压低、

特性好

亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中

测量这些器件的电学和光学特性

发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品

这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是

样品ITO/SiO

/ZnS:Sm

/SiO

/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品

这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量

我们制备了样品ITO/SiO

/ZnS:Sm

/SiO

/CdS/Al

使硫化镉中产生的电子先经过SiO

层

再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级

与不含硫化镉的样品的亮度接近

但其阈值电压较低

亮度-电压(

)曲线上升部分较陡

且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下

不含硫化镉的样品才刚刚起亮

这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO

中得到了明显的加速.

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