Znse:Al电学性能的研究

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Znse:Al电学性能的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Znse:Al电学性能的研究
- STUDY ON ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnSe:Al
- 发光学报 1995年16卷第2期页码：149-152
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 天津理工学院材料物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1994-12-19，
  
  纸质出版：1995-05-30
- 稿件说明：
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王吉丰, 黄锡珉, 张志舜, 徐叙瑢. Znse:Al电学性能的研究[J]. 发光学报, 1995,16(2): 149-152

Wang Jifeng, Huang Ximin, Zhang Zhishun, Xu Xurong. STUDY ON ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnSe:Al[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(2): 149-152
王吉丰, 黄锡珉, 张志舜, 徐叙瑢. Znse:Al电学性能的研究[J]. 发光学报, 1995,16(2): 149-152 DOI：

Wang Jifeng, Huang Ximin, Zhang Zhishun, Xu Xurong. STUDY ON ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnSe:Al[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(2): 149-152 DOI：

本文研究了77～300K温度区间内ZnSe:Al的电学性能

讨论了ZnSe:Al中的缺陷及其补偿比

得出了随掺杂温度的升高

极化光学声子对载流子的散射作用变弱

电离杂质对载流子的散射作用变强的结论。同时

本文也给出了霍尔系数、载流子浓度与掺杂温度及测量温度的关系

计算了Al施主能级的电离能。

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