您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性
发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

    • 常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性

    • GROWTH AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF p-TYPE ZnSe BY AP-MOCVD

    • 发光学报   1994年15卷第3期 页码：180-184

    • 纸质出版：1994-08-30

    移动端阅览

  • 吕有明, 杨宝均, 张吉英, 关郑平, 陈连春, 孙甲明, 申德振, 范希武. 常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性[J]. 发光学报, 1994,15(3): 180-184 DOI：

    L&#252; Youming, Yang Baojun, Zhang Jiying, Guan Zhengpin, Chen Lianchun, Sun Jiaming, Shen Dezhen, Fan Xiwu. GROWTH AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF <i>p</i>-TYPE ZnSe BY AP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(3): 180-184 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

177

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜
MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究
MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究

相关作者

许露
梁红伟
刘远达
李春野
柳阳
边继明
李国兴
李万程

相关机构

大连理工大学 物理与光电工程学院
吉林大学电子与信息工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室
南开大学物理科学学院光子学中心
昆明物理研究所
南昌大学材料科学研究所
0