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天津理工学院材料物理研究所, 天津 300191
收稿:1993-11-24,
纸质出版:1994-05-30
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郜军, 冯秀岚, 华玉林. 掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究[J]. 发光学报, 1994,15(2): 136-140
Gao Jun, Feng Xiulan, Hua Yulin. ELECTROLUMINESCENCE STUDY OFDOPED Alq3 THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(2): 136-140
郜军, 冯秀岚, 华玉林. 掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究[J]. 发光学报, 1994,15(2): 136-140 DOI:
Gao Jun, Feng Xiulan, Hua Yulin. ELECTROLUMINESCENCE STUDY OFDOPED Alq3 THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(2): 136-140 DOI:
在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G)
用真空热蒸发的方法制备器件
获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光
从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G)
利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同
以此作为“探测层”
通过对器件光谱及电学特性的测量与分析
探讨了有关发光区域
发光机理
界面对发光影响等基本问题.
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CSCD
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