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在MOCVD外延生长中Ⅴ/Ⅲ比对AlxGa1-xAs外延层中A1组分分布的影响
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 在MOCVD外延生长中Ⅴ/Ⅲ比对AlxGa1-xAs外延层中A1组分分布的影响

    • INFLUNCE OF Ⅴ/Ⅲ RATIO ON DISTRIBUTION OF ALUMINUM IN THE AlxGa1-xAs EPITAXY LAYERS BY MOCVD

    • 发光学报   1994年15卷第1期 页码：43-49

    • 收稿：1993-05-31，

      纸质出版：1994-02-28

    移动端阅览

  • 傅竹西. 在MOCVD外延生长中Ⅴ/Ⅲ比对Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As外延层中A1组分分布的影响[J]. 发光学报, 1994,15(1): 43-49 DOI：

    Fu Zhuxi. INFLUNCE OF Ⅴ/Ⅲ RATIO ON DISTRIBUTION OF ALUMINUM IN THE Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As EPITAXY LAYERS BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(1): 43-49 DOI：

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