Er离子注入GaP, GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

陈辰嘉; 王学忠; 周必忠; 陈世帛; 雷红兵; 李仪; 李菊生; Bottazzi P

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Er离子注入GaP, GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- Er离子注入GaP, GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究
- SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY STUDIES OF ERBIUM IMPLANTED IN SEMICONDUCTORS GaP, GaAs AND InP
- 发光学报 1994年15卷第1期页码：71-73
- 作者机构：
  
  1. 北京大学物理系
  2. 厦门大学物理系
  3. . N. R.-Centro di Studio per la Cristallochimica e la Cristallografia, I-27100Pavia
  4. 中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1993-10-19，
  
  纸质出版：1994-02-28
- 稿件说明：
移动端阅览
陈辰嘉, 王学忠, 周必忠, 陈世帛, 雷红兵, 李仪, 李菊生, Bottazzi P. Er离子注入GaP, GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究[J]. 发光学报, 1994,15(1): 71-73

Chen Chenjia, Wang Xuezhong, Zhou Bizhong, Chen Shibo, Lei Hongbing, Li Yi, Li Jusheng, Bottazzi P.. SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY STUDIES OF ERBIUM IMPLANTED IN SEMICONDUCTORS GaP, GaAs AND InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(1): 71-73
陈辰嘉, 王学忠, 周必忠, 陈世帛, 雷红兵, 李仪, 李菊生, Bottazzi P. Er离子注入GaP, GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究[J]. 发光学报, 1994,15(1): 71-73 DOI：

Chen Chenjia, Wang Xuezhong, Zhou Bizhong, Chen Shibo, Lei Hongbing, Li Yi, Li Jusheng, Bottazzi P.. SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY STUDIES OF ERBIUM IMPLANTED IN SEMICONDUCTORS GaP, GaAs AND InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(1): 71-73 DOI：

摘要

近年来掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注

其中又由于Er

的

13/2

—

15/2

的特征发光波长为1.54μm

恰好对应于石英光纤的低损耗区

且离子注入技术简单易行

因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究

大多选用较低的注入剂量(约10

～10

Er/cm

)

而对较高剂量的注入有待于进一步研究.

Abstract

关键词

Keywords

references

浏览量

218

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

镧系金属有机框架材料在防伪中的应用

强共价低声子能量稀土硫化物：破解Cr3+短波红外发光效率与稳定性难题

手性BODIPY圆偏振发光材料：分子设计及其应用

Tb3+→Sm3+能量传递调控的多色应力发光材料及其动态防伪应用

一氧化碳荧光探针构建及其动物细菌性肺炎和植物抗镉污染成像研究

Er离子注入GaP, GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY STUDIES OF ERBIUM IMPLANTED IN SEMICONDUCTORS GaP, GaAs AND InP

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references