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1. 渝州大学物理系
2. 重庆大学应用物理系
收稿:1994-03-10,
纸质出版:1994-11-30
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江孟蜀, 郑克勤. 高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射[J]. 发光学报, 1994,15(4): 290-296
Jiang Mengshu, Zheng Keqin. LIGHT EMISSION FROM HIGH BIAS METAL-INSULATOR-METAL JUNCTIONS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(4): 290-296
江孟蜀, 郑克勤. 高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射[J]. 发光学报, 1994,15(4): 290-296 DOI:
Jiang Mengshu, Zheng Keqin. LIGHT EMISSION FROM HIGH BIAS METAL-INSULATOR-METAL JUNCTIONS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1994,15(4): 290-296 DOI:
我们制作了一种可在6-11V偏压范围内均匀发射可见光的新型金属-绝缘体-金属结型发光器件
其内层结构是Al-Al
2
O
3
-MgF
-An(Cu)
其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的M-O-M遂道结型发光器件.本文首次报导并论证了这一由Schottky热电子所激发的光发射及其物理图象:Schottky热电子在AO(Cu)-真空界面激发表面等离极化激元(SPP);Au(Cu)-真空界面的SPP通过表面粗糙度与外光子耦合.这一图象与该器件的电流-电压(
I
-
V
)、电流-温度(
T
)关系及其发射光谱的主要特征一致.
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