LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响

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简报 | 更新时间：2020-08-11

- LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响
- THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF InGaAs BY LP-MOCVD
- 发光学报 1993年14卷第4期页码：387-390
- 作者机构：
  
  吉林大学电子科学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1993-02-19，
  
  纸质出版：1993-11-30
- 稿件说明：
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刘宝林, 杨树人, 陈佰军, 王本忠, 刘式墉. LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响[J]. 发光学报, 1993,14(4): 387-390

Liu Baolin, Yang Shuren, Chen Baijun, Wang Benzhong, Liu Shiyong. THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF InGaAs BY LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(4): 387-390
刘宝林, 杨树人, 陈佰军, 王本忠, 刘式墉. LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响[J]. 发光学报, 1993,14(4): 387-390 DOI：

Liu Baolin, Yang Shuren, Chen Baijun, Wang Benzhong, Liu Shiyong. THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE PROPERTIES OF InGaAs BY LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(4): 387-390 DOI：

众所周知

InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率

InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm

[1]

而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射

[2]

并且

InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm

[3]

因此

它不论对高速电子器件如HBT和HEMT

还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。

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