非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭
- TEMPERATURE-QUENCHING OF LUMINESCENCE OF a-SiC THIN FILM LIGHT-EMITTING DIODES
- 发光学报 1993年14卷第2期页码：159-164
- 作者机构：
  
  宁波大学物理系, 宁波 315211
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1992-07-09，
  
  纸质出版：1993-05-30
- 稿件说明：
移动端阅览
周亚训, 陈培力, 王晓东, 白贵儒. 非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭[J]. 发光学报, 1993,14(2): 159-164

Zhou Yaxun, Chen Peili, Wang Xiaodong, Bai Guiru. TEMPERATURE-QUENCHING OF LUMINESCENCE OF a-SiC THIN FILM LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(2): 159-164
周亚训, 陈培力, 王晓东, 白贵儒. 非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭[J]. 发光学报, 1993,14(2): 159-164 DOI：

Zhou Yaxun, Chen Peili, Wang Xiaodong, Bai Guiru. TEMPERATURE-QUENCHING OF LUMINESCENCE OF a-SiC THIN FILM LIGHT-EMITTING DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(2): 159-164 DOI：

本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下

器件的发光在注入电流1A/cm

左右趋于饱和

而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm

仍随电流近似线性增长

但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明

热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和

并简要提出了改进器件散热的措施.

浏览量

234

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

钼酸锂粉体的水解中和法合成及其晶体制备

一氧化碳荧光探针构建及其动物细菌性肺炎和植物抗镉污染成像研究

手性BODIPY圆偏振发光材料：分子设计及其应用

镧系金属有机框架材料在防伪中的应用

CaYAl3O7∶Eu2+，Eu3+，Tb3+的多模式应力发光性能及颜色调控