您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减
其它 | 更新时间：2020-08-11

    • 多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

    • CHARGE STORAGE AND PHOTOVOLTAGE HYSTERETIC DECAY OF POROUS SILICON

    • 发光学报   1993年14卷第2期 页码：206-208

    • 收稿：1993-05-17，

      纸质出版：1993-05-30

    移动端阅览

  • 孙甲明, 张吉英, 申德振, 范希武. 多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减[J]. 发光学报, 1993,14(2): 206-208 DOI：

    Sun Jiaming, Zhang Jiying, Shen Dezhen, Fan Xiwu. CHARGE STORAGE AND PHOTOVOLTAGE HYSTERETIC DECAY OF POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(2): 206-208 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

130

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

Sr3B2O6∶Pr3+荧光粉的紫外上转换发光性能研究
强共价低声子能量稀土硫化物：破解Cr3+短波红外发光效率与稳定性难题
可见光波段激光器线宽压缩技术研究进展
基于混合波导-表面等离极化激元结构的胶体量子点放大自发发射性能研究
一氧化碳荧光探针构建及其动物细菌性肺炎和植物抗镉污染成像研究

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据
0