浏览全部资源
扫码关注微信
中国科学院长春物理研究所, 长春 130021
收稿:1993-05-13,
纸质出版:1993-05-30
移动端阅览
罗宗铁, 温庆祥. 多孔硅的光生伏特效应[J]. 发光学报, 1993,14(2): 209-210
Luo Zhongtie, Wen Qingxiang. PHOTOVOLTAIC EFFECT OF POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(2): 209-210
罗宗铁, 温庆祥. 多孔硅的光生伏特效应[J]. 发光学报, 1993,14(2): 209-210 DOI:
Luo Zhongtie, Wen Qingxiang. PHOTOVOLTAIC EFFECT OF POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(2): 209-210 DOI:
多孔硅(PS)的可见光致发光的发现
[1]
引起人们对PS的光电特性及其在光电器件上应用可能性的广泛探索.已报道用PS制成发出可见光的电致发光器件
[2]
及高灵敏的光探测器件
[3]
.本文将报道PS层与金属接触
光照时能出现很强的光生伏特效应
利用这一特性有可能制成高效的光电转换器件.
0
浏览量
177
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构