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多孔硅的电荷存贮现象
其它 | 更新时间：2020-08-11

    • 多孔硅的电荷存贮现象

    • CHARGES STORAGE PHENOMENON IN THE POROUS SILICON

    • 发光学报   1993年14卷第2期 页码：203-205

    • 收稿：1993-05-13，

      纸质出版：1993-05-30

    移动端阅览

  • 温庆祥, 罗宗铁. 多孔硅的电荷存贮现象[J]. 发光学报, 1993,14(2): 203-205 DOI：

    Wen Qingxiang, Lou Zhongtie. CHARGES STORAGE PHENOMENON IN THE POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993,14(2): 203-205 DOI：

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