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中国科学院长春物理研究所
收稿:1990-10-29,
纸质出版:1991-11-30
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李维志, 杨宝均. 高纯CdS单晶生长及光学性质[J]. 发光学报, 1991,12(4): 277-284
Li Weizhi, Yang Baojun. GROWTH AND PROPERTIES OF HIGH PURITY CdS CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1991,12(4): 277-284
李维志, 杨宝均. 高纯CdS单晶生长及光学性质[J]. 发光学报, 1991,12(4): 277-284 DOI:
Li Weizhi, Yang Baojun. GROWTH AND PROPERTIES OF HIGH PURITY CdS CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1991,12(4): 277-284 DOI:
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法
通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.
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