GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

林东海; 周必忠; 黄景昭; 陈世帛

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GaAs_0.6P_0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs_0.6P_0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫
- ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs_0.6P_0.4:Te
- 发光学报 1990年11卷第3期页码：205-211
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1989-12-01，
  
  纸质出版：1990-08-30
- 稿件说明：
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林东海, 周必忠, 黄景昭, 陈世帛. GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫[J]. 发光学报, 1990,11(3): 205-211

Lin Donghai, Zhou Bizhong, Huang Jingzhao, Chen Shibo. ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs0.6P0.4:Te[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(3): 205-211
林东海, 周必忠, 黄景昭, 陈世帛. GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫[J]. 发光学报, 1990,11(3): 205-211 DOI：

Lin Donghai, Zhou Bizhong, Huang Jingzhao, Chen Shibo. ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs0.6P0.4:Te[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(3): 205-211 DOI：

摘要

用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs

0.6

0.4

:Te深中心的光电性质和电声耦合作用

在GaAs

0.6

0.4

:Te中检测到两种深中心(A和B中心)

表观热激活能分别为0.20和0.40eV

光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性

测量了光离化截面谱的温度关系

发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应

并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图

说明了实验结果

较好地描述了B中心的特性

确认B中心属于DX中心。

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ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs0.6P0.4:Te

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GaAs_0.6P_0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

ELECTRON-PHONON COUPLE AND LATTICE-RELAXATION EFFECT OF DEEP CENTERS IN GaAs_0.6P_0.4:Te