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吉林大学电子科学系
收稿:1988-11-26,
纸质出版:1990-05-30
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张晓波, 邹峥, 杜国同, 高鼎三. 窄台衬底内条形半导体激光器[J]. 发光学报, 1990,11(2): 126-131
Zhang Xiaobo, Zou Zheng, Du Guotong, Gao Dingsan. NARROW MESA SUBSTRATE INNER STRIPE SEMICONDUCTOR LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(2): 126-131
张晓波, 邹峥, 杜国同, 高鼎三. 窄台衬底内条形半导体激光器[J]. 发光学报, 1990,11(2): 126-131 DOI:
Zhang Xiaobo, Zou Zheng, Du Guotong, Gao Dingsan. NARROW MESA SUBSTRATE INNER STRIPE SEMICONDUCTOR LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(2): 126-131 DOI:
研制了一种新型结构双异质结半导体激光器
这种激光器是利用非平面衬底液相外延的特点
使电流阻挡层和四层双异质结构在腐蚀成窄台的衬底上一次外延完成生长
内条形电流通路在外延生长中自然形成.工艺特别简单
且具有良好线性输出和稳定基横模式振荡等特点.
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