集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究
- STUDY ON CHARACTERISTICS OF 1.3μm InGaAsP/InP DH LED WITH INTEGRATED LENS
- 发光学报 1991年12卷第2期页码：113-117
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1990-05-21，
  
  纸质出版：1991-05-30
- 稿件说明：
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肖德元, 陈瑞璋, 朱黎明, 史智华, 徐少华, 陈启玙, 郭康瑾. 集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究[J]. 发光学报, 1991,12(2): 113-117

Xiao Deyuan, Cheng Ruizhang, Zhu Liming, Shi Zhihua, Xu Shaohua, Cheng Qiyu, Guo Kangjin. STUDY ON CHARACTERISTICS OF 1.3μm InGaAsP/InP DH LED WITH INTEGRATED LENS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1991,12(2): 113-117
肖德元, 陈瑞璋, 朱黎明, 史智华, 徐少华, 陈启玙, 郭康瑾. 集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究[J]. 发光学报, 1991,12(2): 113-117 DOI：

Xiao Deyuan, Cheng Ruizhang, Zhu Liming, Shi Zhihua, Xu Shaohua, Cheng Qiyu, Guo Kangjin. STUDY ON CHARACTERISTICS OF 1.3μm InGaAsP/InP DH LED WITH INTEGRATED LENS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1991,12(2): 113-117 DOI：

本文设计与制作了集成球透镜1.3μm InGaAsP/InP DH LED

并对集成透镜LED的频响特性

光强远场分布以及与光纤的耦合特性等方面进行了测试分析.研究结果表明

球透镜LED与标准光纤的耦合效率较之乎面型LED有显著提高

达7.5%

器件截止频率也比平面型LED提高的20%

最高截止带宽达425MHz.

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