1.3μmInGaAsP/InP DCC结构半导体激光器

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 1.3μmInGaAsP/InP DCC结构半导体激光器
- 1.3μm InGaAsP/InP DCC STRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER
- 发光学报 1990年11卷第1期页码：75-78
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 东北师范大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-11-06，
  
  纸质出版：1990-02-28
- 稿件说明：
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刘益春, 张月清, 何胜夫, 朱有才. 1.3μmInGaAsP/InP DCC结构半导体激光器[J]. 发光学报, 1990,11(1): 75-78

Liu Yichun, Zhang Yueqing, He Shengfu, Zhu Youcai. 1.3μm InGaAsP/InP DCC STRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(1): 75-78
刘益春, 张月清, 何胜夫, 朱有才. 1.3μmInGaAsP/InP DCC结构半导体激光器[J]. 发光学报, 1990,11(1): 75-78 DOI：

Liu Yichun, Zhang Yueqing, He Shengfu, Zhu Youcai. 1.3μm InGaAsP/InP DCC STRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(1): 75-78 DOI：

用普通的LPE技术

严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件

获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T

=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用

增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率

提高了T

值

说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T

和阈值电流的影响。

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