InP中和C带有关深能级的近红外光致发光

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发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- InP中和C带有关深能级的近红外光致发光
- INVESTIGATION ON C BAND INFRARED LUMINESCENCE IN INDIUM PHOSPHIDE
- 发光学报 1990年11卷第1期页码：14-21
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 吉林大学电子科学系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院长春物理所激发态物理实验室基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-12-10，
  
  纸质出版：1990-02-28
- 稿件说明：
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高瑛, 刘学彦, 刘益春, 阎大卫. InP中和C带有关深能级的近红外光致发光[J]. 发光学报, 1990,11(1): 14-21

Gao Ying, Liu Xueyan, Liu Yichun, Yan Dawei. INVESTIGATION ON C BAND INFRARED LUMINESCENCE IN INDIUM PHOSPHIDE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(1): 14-21
高瑛, 刘学彦, 刘益春, 阎大卫. InP中和C带有关深能级的近红外光致发光[J]. 发光学报, 1990,11(1): 14-21 DOI：

Gao Ying, Liu Xueyan, Liu Yichun, Yan Dawei. INVESTIGATION ON C BAND INFRARED LUMINESCENCE IN INDIUM PHOSPHIDE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(1): 14-21 DOI：

本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中

且与P空位引起的复合缺陷有关。通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合

光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合

得到与C带有关的深能级hv=0.02eV

S=8。

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