OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性

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OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性
- GROWTH AND LASING CHARACTERISTIC OF ZnSe THIN FILMS GROWN BY OMVPE
- 发光学报 1990年11卷第4期页码：239-248
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1990-03-01，
  
  纸质出版：1990-11-30
- 稿件说明：
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杨宝均, 田华. OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性[J]. 发光学报, 1990,11(4): 239-248

Yang Baojun, Tian Hua. GROWTH AND LASING CHARACTERISTIC OF ZnSe THIN FILMS GROWN BY OMVPE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(4): 239-248
杨宝均, 田华. OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性[J]. 发光学报, 1990,11(4): 239-248 DOI：

Yang Baojun, Tian Hua. GROWTH AND LASING CHARACTERISTIC OF ZnSe THIN FILMS GROWN BY OMVPE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(4): 239-248 DOI：

本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度

硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激发研究了OMVPE ZnSe薄膜的受激发射性质并测量其光学增益。利用ZnSe/GaAs的自然解理面形成的光反馈腔制成了激光器。该激光器的工作温度可以延续到150K。

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