Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算

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发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算
- ABSORPTION SPECTRA AND SUBBAND LEVELS CALCULATION OF ZnSe-SnS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
- 发光学报 1990年11卷第3期页码：174-180
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1989-08-17，
  
  纸质出版：1990-08-30
- 稿件说明：
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江风益, 范希武, 范广涵. Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算[J]. 发光学报, 1990,11(3): 174-180

Jiang Fcngyi, Fan Xiwu, Fan Guanghan. ABSORPTION SPECTRA AND SUBBAND LEVELS CALCULATION OF ZnSe-SnS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(3): 174-180
江风益, 范希武, 范广涵. Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算[J]. 发光学报, 1990,11(3): 174-180 DOI：

Jiang Fcngyi, Fan Xiwu, Fan Guanghan. ABSORPTION SPECTRA AND SUBBAND LEVELS CALCULATION OF ZnSe-SnS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1990,11(3): 174-180 DOI：

我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的

=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型

首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实验所测量的吸收光谱所验证。文中指出

这一计算方法同样适用于其它半导体超晶格。

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