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中国科学院长春物理研究所
收稿:1989-03-28,
纸质出版:1989-11-30
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张家骅, 张吉英, 范希武. 气相外延ZnSe单晶膜的自由激子发光[J]. 发光学报, 1989,10(4): 265-270
Zhang Jiahua, Zhang Jiying, Fan Xiwu. FREE EXCITON EMISSION IN VPE ZnSe EPILAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(4): 265-270
张家骅, 张吉英, 范希武. 气相外延ZnSe单晶膜的自由激子发光[J]. 发光学报, 1989,10(4): 265-270 DOI:
Zhang Jiahua, Zhang Jiying, Fan Xiwu. FREE EXCITON EMISSION IN VPE ZnSe EPILAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(4): 265-270 DOI:
本文在77K和N
2
激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上
首次得到了起因于自由激子与自由激子(E
x
-E
)散射的发光谱带(P带)
理论拟合了该谱带的形状并讨论了它的发光特性。文中把在选择的VPE ZnSe外延单晶膜中得到P带的起因归结为这些ZnSe外延单晶膜的质量较高。
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