Se+注入ZnSe晶体的深能级研究

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Se⁺注入ZnSe晶体的深能级研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Se⁺注入ZnSe晶体的深能级研究
- INVESTIGATION OF DEEP LEVEL IN Se⁺-ION-IMPLANTED ZnSe CRYSTAL
- 发光学报 1989年10卷第3期页码：192-197
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 北京师范大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-03-23，
  
  纸质出版：1989-08-30
- 稿件说明：
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喀蔚波, 杨锡震, 王世润, 范希武. Se+注入ZnSe晶体的深能级研究[J]. 发光学报, 1989,10(3): 192-197

Ka Weibo, Yang Xizhen, Wang Xizhen, Fan Xiwu(X. W. Fan). INVESTIGATION OF DEEP LEVEL IN Se+-ION-IMPLANTED ZnSe CRYSTAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(3): 192-197
喀蔚波, 杨锡震, 王世润, 范希武. Se+注入ZnSe晶体的深能级研究[J]. 发光学报, 1989,10(3): 192-197 DOI：

Ka Weibo, Yang Xizhen, Wang Xizhen, Fan Xiwu(X. W. Fan). INVESTIGATION OF DEEP LEVEL IN Se+-ION-IMPLANTED ZnSe CRYSTAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(3): 192-197 DOI：

将Se离子注入到ZnSe晶体中

用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se

前后ZnSe晶体中深能级的变化

发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se

和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级分别与Se双空位和包含一个Se单空位的复合体有关的论点。同时注Se

后在导带下0.34eV出现一个新的能级

其电子俘获截面明显区别于0.33eV能级。该能级可能与Se填隙原子或占Zn位的反位Se原子有关。

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