高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响
- THE EFFECT OF HIGH Ga CONCENTRATION ON DEEP CENTER EMISSION IN ZnSe:Ga, Cu CRYSTALS
- 发光学报 1989年10卷第1期页码：17-23
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-01-26，
  
  纸质出版：1989-02-28
- 稿件说明：
移动端阅览
彭星国, 范希武, 张吉英. 高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响[J]. 发光学报, 1989,10(1): 17-23

Peng Xingguo, Fan Xiwu, Zhang Jiying. THE EFFECT OF HIGH Ga CONCENTRATION ON DEEP CENTER EMISSION IN ZnSe:Ga, Cu CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 17-23
彭星国, 范希武, 张吉英. 高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响[J]. 发光学报, 1989,10(1): 17-23 DOI：

Peng Xingguo, Fan Xiwu, Zhang Jiying. THE EFFECT OF HIGH Ga CONCENTRATION ON DEEP CENTER EMISSION IN ZnSe:Ga, Cu CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 17-23 DOI：

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga

Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga

Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象

并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用

产生了谱峰为5580Å的新发射带

其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到

随着Cu浓度增加

Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出

Ga浓度较低时

ZnSe:Ga

Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律

即随着Cu浓度增大

Cu-G带与Cu-R带的强度比增大

由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。

浏览量

185

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

手性BODIPY圆偏振发光材料：分子设计及其应用

氨基酸基荧光碳点制备及其四环素检测应用

四苯乙烯手性组装体系的圆偏振发光与调控研究进展

可见光波段激光器线宽压缩技术研究进展

基于混合波导-表面等离极化激元结构的胶体量子点放大自发发射性能研究