在ZnSxSe1-x单晶中本征缺陷的研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

在ZnS_xSe_1-x单晶中本征缺陷的研究

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 在ZnS_xSe_1-x单晶中本征缺陷的研究
- STUDY OF NATIVE DEFECTS IN ZnS_xSe_1-x SINGLE CRYSTALS
- 发光学报 1989年10卷第1期页码：11-16
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-02-27，
  
  纸质出版：1989-02-28
- 稿件说明：
移动端阅览
黄锡珉. 在ZnSxSe1-x单晶中本征缺陷的研究[J]. 发光学报, 1989,10(1): 11-16

Huang Ximin. STUDY OF NATIVE DEFECTS IN ZnSxSe1-x SINGLE CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 11-16
黄锡珉. 在ZnSxSe1-x单晶中本征缺陷的研究[J]. 发光学报, 1989,10(1): 11-16 DOI：

Huang Ximin. STUDY OF NATIVE DEFECTS IN ZnSxSe1-x SINGLE CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 11-16 DOI：

本文用气相法生长ZnS

1-x

(x=0.03)单晶

解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300-800℃范围内进行热处理

在4.2K激子发射光谱中观察到与V

(Zn空位)有关的I

deep

谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时

未观察到I

deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I

deep谱线强度的变化。由此研究了V

浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征V

缺陷和掺杂的实验依据。

浏览量

109

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

NaYF4∶Yb,Tm@CsPbBr3异质结构制备与发光性能

四苯乙烯手性组装体系的圆偏振发光与调控研究进展

一氧化碳荧光探针构建及其动物细菌性肺炎和植物抗镉污染成像研究

基于微流控可控制备交联型ZnS高折射率材料及其在QLED光提取中的应用

（Ga/Al）4GeO8∶Cr3+荧光粉的多格位超宽带近红外发光

在ZnS_xSe_1-x单晶中本征缺陷的研究