您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
2H-ZnS单晶层错几率的旋进法测定中影响因素的研究
其他 | 更新时间:2020-08-11
    • 2H-ZnS单晶层错几率的旋进法测定中影响因素的研究

    • STUDY OF THE FACTORS AFFECTING DETERMINA-TION OF THE STACKING FAULT PROBABILITY IN SINGLE CRYSTAL ZnS BY PRECESSION PHOTOGRAPHY

    • 发光学报   1988年9卷第4期 页码:338-345
    • 纸质出版:1988-11-30

    移动端阅览

  • 葛中久, 刘维娜. 2H-ZnS单晶层错几率的旋进法测定中影响因素的研究[J]. 发光学报, 1988,9(4): 338-345 DOI:

    Ge Zhongjiu, Liu Weina. STUDY OF THE FACTORS AFFECTING DETERMINA-TION OF THE STACKING FAULT PROBABILITY IN SINGLE CRYSTAL ZnS BY PRECESSION PHOTOGRAPHY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 338-345 DOI:

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

浏览量

167

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

一氧化碳荧光探针构建及其动物细菌性肺炎和植物抗镉污染成像研究
基于混合波导-表面等离极化激元结构的胶体量子点放大自发发射性能研究
氨基酸基荧光碳点制备及其四环素检测应用
(Ga/Al)4GeO8∶Cr3+荧光粉的多格位超宽带近红外发光
Tb3+→Sm3+能量传递调控的多色应力发光材料及其动态防伪应用

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据
0