有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响

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其它 | 更新时间：2020-08-11

- 有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响
- EFFECT OF DOPING CONCENTRATION IN THE ACTIVE LAYER ON PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF DH-ELED
- 发光学报 1987年8卷第4期页码：338-346
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海冶金研究所
  2. 上海通信设备厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-11-26，
  
  纸质出版：1987-11-30
- 稿件说明：
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吴陈周, 潘慧珍, 逄永秀. 有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响[J]. 发光学报, 1987,8(4): 338-346

Wu Chenzhou, Pan Huizhen, Pang Yongxiu. EFFECT OF DOPING CONCENTRATION IN THE ACTIVE LAYER ON PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF DH-ELED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(4): 338-346
吴陈周, 潘慧珍, 逄永秀. 有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响[J]. 发光学报, 1987,8(4): 338-346 DOI：

Wu Chenzhou, Pan Huizhen, Pang Yongxiu. EFFECT OF DOPING CONCENTRATION IN THE ACTIVE LAYER ON PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF DH-ELED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(4): 338-346 DOI：

本文阐明了影响GaAs/GaAlAs双异质结边发光管特性的因素

其中着重讨论了有源区的掺杂浓度和掺杂类型对DH-ELED光功率和调制能力的影响.结果表明:掺Si或轻掺Ge的LEDs具有较高的功率和慢的响应

这些LED只可用于低码速和较高功率的系统.有源区重掺Ge导致器件的响应快和功率较低

这种LED可用于高速系统.通过最佳掺杂

可获得高速和大功率的DH-ELED.

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