MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱
- LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE OF Be DOPED GaAs GROWN BY MBE
- 发光学报 1987年8卷第3期页码：236-244
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-10-07，
  
  纸质出版：1987-08-30
- 稿件说明：
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胡天斗, 梁基本, 庄蔚华, 孙殿照, 吴灵犀. MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱[J]. 发光学报, 1987,8(3): 236-244

Hu Tiandou, Liang Jiben, Zhuang Weihua, Sun Dianzhao, Wu Lingxi. LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE OF Be DOPED GaAs GROWN BY MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 236-244
胡天斗, 梁基本, 庄蔚华, 孙殿照, 吴灵犀. MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱[J]. 发光学报, 1987,8(3): 236-244 DOI：

Hu Tiandou, Liang Jiben, Zhuang Weihua, Sun Dianzhao, Wu Lingxi. LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE OF Be DOPED GaAs GROWN BY MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 236-244 DOI：

本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱

观察到FE

#176;

X)等束缚激子发光

判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间观察8条与缺陷有关的(d

x)发光线。仔细分析了与Be

Ge受主有关的(BA)和(DA)发光现象。

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