ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响
- EFFECT OF ZnSe SINGLE CRYSTAL QUALITY ON THE HIGH DENSITY EXCITATION LUMINESCENCE
- 发光学报 1989年10卷第4期页码：278-282
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1989-03-22，
  
  纸质出版：1989-11-30
- 稿件说明：
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张吉英, 范希武, 杨宝均. ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响[J]. 发光学报, 1989,10(4): 278-282

Zhang Jiying, Fan Xiwu, Yang Baojun. EFFECT OF ZnSe SINGLE CRYSTAL QUALITY ON THE HIGH DENSITY EXCITATION LUMINESCENCE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(4): 278-282
张吉英, 范希武, 杨宝均. ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响[J]. 发光学报, 1989,10(4): 278-282 DOI：

Zhang Jiying, Fan Xiwu, Yang Baojun. EFFECT OF ZnSe SINGLE CRYSTAL QUALITY ON THE HIGH DENSITY EXCITATION LUMINESCENCE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(4): 278-282 DOI：

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子-激子(Ex-Ex)散射的P带

随激发密度增加

P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子-载流子(Ex-e)散射的E

'带

观测不到P带。经熔融锌中热处理的ZnSe单晶

在上述激发条件下

也观测到了P带。而且此带强度随热处理时间增加而增强。实验表明

P带的产生不仅与激发密度和温度有关

而且还与单晶质量有关。

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