Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究
- Au-Zn,TiPdAu ELECTRODE INFLUENCE ON THE RELIABILITY OF InGaAsP/InP LED's
- 发光学报 1989年10卷第3期页码：198-205
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-04-21，
  
  纸质出版：1989-08-30
- 稿件说明：
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张桂成, 程宗权. Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究[J]. 发光学报, 1989,10(3): 198-205

Zhang Guicheng, Cheng Zongquan. Au-Zn,TiPdAu ELECTRODE INFLUENCE ON THE RELIABILITY OF InGaAsP/InP LED's[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(3): 198-205
张桂成, 程宗权. Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究[J]. 发光学报, 1989,10(3): 198-205 DOI：

Zhang Guicheng, Cheng Zongquan. Au-Zn,TiPdAu ELECTRODE INFLUENCE ON THE RELIABILITY OF InGaAsP/InP LED's[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(3): 198-205 DOI：

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性

结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉

采用In焊料

研究了器件的可靠性问题

在室温大气气氛中;70℃存储

70～80℃带电老化

三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常

末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化

后二种结构的器件

在长期老化过程中

有源区中有大面积DSD生长和增殖。

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