GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应

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发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
- TWO DIMENSIONAL EXCITON EFFECTS IN CARRIER CONFINEMENT AT GaAs/AlGaAs INTERFACE
- 发光学报 1989年10卷第2期页码：130-139
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  1985年科学院基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1988-06-05，
  
  纸质出版：1989-05-30
- 稿件说明：
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袁祐荣, 周济, 曹望和, 冯禹臣. GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应[J]. 发光学报, 1989,10(2): 130-139

Yuan Yourong, Zhou Ji, Cao Wanghe, Feng Yuchen. TWO DIMENSIONAL EXCITON EFFECTS IN CARRIER CONFINEMENT AT GaAs/AlGaAs INTERFACE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(2): 130-139
袁祐荣, 周济, 曹望和, 冯禹臣. GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应[J]. 发光学报, 1989,10(2): 130-139 DOI：

Yuan Yourong, Zhou Ji, Cao Wanghe, Feng Yuchen. TWO DIMENSIONAL EXCITON EFFECTS IN CARRIER CONFINEMENT AT GaAs/AlGaAs INTERFACE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(2): 130-139 DOI：

本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关

并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应

解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。

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