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用ODLTS法研究ZnSe:Ga晶体中的自激活深能级
发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

    • 用ODLTS法研究ZnSe:Ga晶体中的自激活深能级

    • STUDY OF SELF-ACTIVATED DEEP CENTER IN ZnSe:Ga CRYSTALS BY ODLTS TECHNIQUE

    • 发光学报   1989年10卷第1期 页码：24-29

    • 收稿：1988-03-06，

      纸质出版：1989-02-28

    移动端阅览

  • 彭星国, 范希武, 王寿寅, 张吉英. 用ODLTS法研究ZnSe:Ga晶体中的自激活深能级[J]. 发光学报, 1989,10(1): 24-29 DOI：

    Peng Xingguo, Fan Xiwu, Wang Shouyin, Zhang Jiying. STUDY OF SELF-ACTIVATED DEEP CENTER IN ZnSe:Ga CRYSTALS BY ODLTS TECHNIQUE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1989,10(1): 24-29 DOI：

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