GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

冯禹臣; 高大超; 袁佑荣

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GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

其它 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察
- OBSERVATION OF X-RAY DOUBLE CRYSTAL TOPOGRAPHY ON GaAs/AlGaAs MBE GROWN LAYERS
- 发光学报 1988年9卷第3期页码：241-248
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1987-02-16，
  
  纸质出版：1988-08-30
- 稿件说明：
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冯禹臣, 高大超, 袁佑荣. GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察[J]. 发光学报, 1988,9(3): 241-248

Feng Yuchen, Gao Dachao, Yuan Yourong. OBSERVATION OF X-RAY DOUBLE CRYSTAL TOPOGRAPHY ON GaAs/AlGaAs MBE GROWN LAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(3): 241-248
冯禹臣, 高大超, 袁佑荣. GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察[J]. 发光学报, 1988,9(3): 241-248 DOI：

Feng Yuchen, Gao Dachao, Yuan Yourong. OBSERVATION OF X-RAY DOUBLE CRYSTAL TOPOGRAPHY ON GaAs/AlGaAs MBE GROWN LAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(3): 241-248 DOI：

摘要

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中存在的失配位错、生长小丘、沾污和局部微差取向等缺陷。对位错的组态和来源进行了初步分析。本实验结果也表明

有应变超晶格过渡层的MBE法对生长优质的GaAs/AlGaAs外延片是有利的。

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