GaP:N LED中深能级对退化特性的影响

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发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- GaP:N LED中深能级对退化特性的影响
- EFFECT OF DEEP LEVEL ON DEGRADATION CHARACTERISTIC IN Gap:N LED
- 发光学报 1988年9卷第2期页码：159-165
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1987-09-17，
  
  纸质出版：1988-05-30
- 稿件说明：
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苏锡安, 高瑛, 姜锦秀. GaP:N LED中深能级对退化特性的影响[J]. 发光学报, 1988,9(2): 159-165

Su Xi'an, Gao Ying, Jiang Jinxiu. EFFECT OF DEEP LEVEL ON DEGRADATION CHARACTERISTIC IN Gap:N LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(2): 159-165
苏锡安, 高瑛, 姜锦秀. GaP:N LED中深能级对退化特性的影响[J]. 发光学报, 1988,9(2): 159-165 DOI：

Su Xi'an, Gao Ying, Jiang Jinxiu. EFFECT OF DEEP LEVEL ON DEGRADATION CHARACTERISTIC IN Gap:N LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(2): 159-165 DOI：

本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED's老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流

=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级

△E

和

△E

而在老化的过程中观察到一个新能级

△E

逐渐形成。结合老化前后测量的LED's发光光谱、光通、

C-V

特性及CLI、EBIC和SEI结果

讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响

认为

△E

是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。

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