稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光

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稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光

其它 | 更新时间：2020-08-11

- 稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光
- LUMINESCENCE OF RARE EARTH DOPED Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTORS
- 发光学报 1988年9卷第1期页码：1-12
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1987-09-25，
  
  纸质出版：1988-02-29
- 稿件说明：
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周济, 袁祐荣. 稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光[J]. 发光学报, 1988,9(1): 1-12

Zhou Ji, Yuan Yourong. LUMINESCENCE OF RARE EARTH DOPED Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTORS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(1): 1-12
周济, 袁祐荣. 稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光[J]. 发光学报, 1988,9(1): 1-12 DOI：

Zhou Ji, Yuan Yourong. LUMINESCENCE OF RARE EARTH DOPED Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTORS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(1): 1-12 DOI：

稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光是近年来开展起来的新的研究领域.在GaAs

InP和GaP等材料中

用离子注入、LPE、MBE、MOCVD以及单晶生长等方法掺杂Er、Yb和Nd等稀土离子

得到了尖锐稀土离子的特征发光.这些发光来自占据正常立方格点和非立方格点的稀土离子的内部4f能级跃迁

其发光行为与掺杂条件关系很大.这种稀土一半导体材料已开始用来制备具有稳定发射波长的发光和激光器件.

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