正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光
- FREE EXCITON EMISSION IN FORWARD-BIASED ZnSe MIS DIODES WITH HIGH PULSE CURRENT DENSITY
- 发光学报 1988年9卷第1期页码：26-32
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1987-07-15，
  
  纸质出版：1988-02-29
- 稿件说明：
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申德振, 范希武. 正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光[J]. 发光学报, 1988,9(1): 26-32

Shen Dezhen, Fan Xiwu. FREE EXCITON EMISSION IN FORWARD-BIASED ZnSe MIS DIODES WITH HIGH PULSE CURRENT DENSITY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(1): 26-32
申德振, 范希武. 正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光[J]. 发光学报, 1988,9(1): 26-32 DOI：

Shen Dezhen, Fan Xiwu. FREE EXCITON EMISSION IN FORWARD-BIASED ZnSe MIS DIODES WITH HIGH PULSE CURRENT DENSITY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(1): 26-32 DOI：

本文测量了在77K和正向脉冲电流密度为50～500mA/mm

的激发下

ZnSe MIS二极管的电致发光光谱.首次在高电流密度激发下的ZnSe晶体的电致发光光谱上

观测到自由激子与自由激子间(E

-E

)的散射.本中根据自由激子的动能分布

讨论了2LO声子协助的自由激子伴线的形状

发现当激发电流密度增高时

自由激子的有效温度大于晶格温度

这可归结为激子与激子间的非弹性散射.

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