GaN深中心Zn的低温瞬态研究

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GaN深中心Zn的低温瞬态研究

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- GaN深中心Zn的低温瞬态研究
- LOW TEMPERATURE TRANSIENT OF DEEP CENTER Zn IN GaN
- 发光学报 1987年8卷第4期页码：297-301
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 瑞典Link ping技术学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-10-17，
  
  纸质出版：1987-11-30
- 稿件说明：
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高瑛, P. Bergman, B. Monemar, P. Holz. GaN深中心Zn的低温瞬态研究[J]. 发光学报, 1987,8(4): 297-301

Gao Ying, P. Bergman, B. Monemar, P. Holz. LOW TEMPERATURE TRANSIENT OF DEEP CENTER Zn IN GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(4): 297-301
高瑛, P. Bergman, B. Monemar, P. Holz. GaN深中心Zn的低温瞬态研究[J]. 发光学报, 1987,8(4): 297-301 DOI：

Gao Ying, P. Bergman, B. Monemar, P. Holz. LOW TEMPERATURE TRANSIENT OF DEEP CENTER Zn IN GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(4): 297-301 DOI：

本文研究了GaN:Zn的低温瞬态过程

同时测量了衰减中的时间分辨光谱

从两者测量的结果得出:2.89eV的光致发光寿命为300ns(2K).实验证实

Zn作为发光中心的同时也引起一些非辐射陷阱.2.89eV的瞬态曲线可分为两部分

在短时范围(1μs)内基本上是指数形式

可归结为导带中光激发的电子和束缚在ZnGa受主上空穴的复合.在长时范围(t>>1μs)内瞬态曲线则偏离了指数规律

相当好地符合Becqureal经验公式.

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