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GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能
与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

    • GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

    • X-RAY TOPOGRAPHY AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL MATERIALS

    • 发光学报   1987年8卷第3期 页码：266-272

    • 收稿：1986-12-12，

      纸质出版：1987-08-30

    移动端阅览

  • 冯禹臣, 高大超, 袁祐荣, 江田和生. GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能[J]. 发光学报, 1987,8(3): 266-272 DOI：

    Feng Yuchen, Gao Dachao, Yuan Yourong . X-RAY TOPOGRAPHY AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL MATERIALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 266-272 DOI：

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