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北京师范大学物理系
收稿:1986-08-29,
纸质出版:1987-05-30
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冯建东, 林振金, 杨锡震. GaP中1.71eV发光带的研究[J]. 发光学报, 1987,8(2): 121-128
Feng Jiandong, Lin Zhenjin, Yang Xizhen. AN INVESTIGATION ON l.71eV LUMINESCENCE BAND IN GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(2): 121-128
冯建东, 林振金, 杨锡震. GaP中1.71eV发光带的研究[J]. 发光学报, 1987,8(2): 121-128 DOI:
Feng Jiandong, Lin Zhenjin, Yang Xizhen. AN INVESTIGATION ON l.71eV LUMINESCENCE BAND IN GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(2): 121-128 DOI:
本文研究了GaP中普遍出现的1.71eV光致发光(PL)宽带。这是一个与多个杂质能级有关的发光带
由吸收谱和光致发光激发谱(PLE)检测到在价带上方0.37—0.089eV范围内与该发光带有关的深能级。时间分辨谱测量表明。随着衰减过程的延续
谱峰移向低能方向
说明该带起源于D—A对复合。讨论了该发光带与背景Cu杂质有关的可能性及其发光机制和激发途径。
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