外延生长条件对GaN形貌影响的研究

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外延生长条件对GaN形貌影响的研究

其它 | 更新时间：2020-08-11

- 外延生长条件对GaN形貌影响的研究
- EFFECT OF EPITAXIAL GROWTH CONDITIONS ON MORPHOLOGY OF GaN CRYSTALS
- 发光学报 1986年7卷第4期页码：367-376
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-04-15，
  
  纸质出版：1986-11-30
- 稿件说明：
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公猛男, 谢江峰, 孙亚莉, 富淑清, 张传平. 外延生长条件对GaN形貌影响的研究[J]. 发光学报, 1986,7(4): 367-376

Gong Mengnan, Xie Jiangfeng, Sun Yali, Fu Shuqing, Zhang Chuanping. EFFECT OF EPITAXIAL GROWTH CONDITIONS ON MORPHOLOGY OF GaN CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(4): 367-376
公猛男, 谢江峰, 孙亚莉, 富淑清, 张传平. 外延生长条件对GaN形貌影响的研究[J]. 发光学报, 1986,7(4): 367-376 DOI：

Gong Mengnan, Xie Jiangfeng, Sun Yali, Fu Shuqing, Zhang Chuanping. EFFECT OF EPITAXIAL GROWTH CONDITIONS ON MORPHOLOGY OF GaN CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(4): 367-376 DOI：

在Ga-HCl-NH

-Ar系统中

做了多种生长参量变化对GaN晶体形貌影响的规律实验。结果表明

在其它生长条件固定的情况下

HCl的流量在15.8～21ml/min的范围内时

GaN晶体表面的生长坑大小与深度随HCl流量的增加而增大

反之则减小。而当HCl流量小于15.8ml/min时

生长的GaN膜逐渐成为多坑与多晶状。当大于21ml/min时

GaN膜的表面则逐渐出现丘锥体及多晶。经霍耳测量

样片的电子迁移率平均在116cm

#183;s左右

最高的可达462cm

#183;s。在HCl流量15.8～21ml/min的范围内

能重复生长出理想的n-GaN。

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