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中国科学院长春物理研究所
收稿:1986-06-21,
纸质出版:1986-11-30
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黄锡珉. ZnS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>单晶的霍尔迁移率[J]. 发光学报, 1986,7(4): 330-335
Huang Ximin. HALL MOBILITY OF ZnS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub> SINGLE CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(4): 330-335
黄锡珉. ZnS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>单晶的霍尔迁移率[J]. 发光学报, 1986,7(4): 330-335 DOI:
Huang Ximin. HALL MOBILITY OF ZnS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub> SINGLE CRYSTALS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(4): 330-335 DOI:
用Vah der Pauw法在77~300K温度范围内测试了n-ZnS
x
Se
1-x
(
=0.15)单晶的霍尔迁移率
共最大值为2150cm
2
/V
&
#183;s迁移率随温度变化的实验结果与载流子散射的几种理论模型曲线相比较
得出在120K附近为界
在高温区中极化的光学声子散射限定迁移率;在低温区中光学声子散射和离化本征受主散射的混合模型或离化本征受主散射限定迁移率。认为离化本征受主是一次电离的Zn空位。
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