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中国科学院上海冶金研究所
纸质出版:1986-08-30
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张桂成. 1.3μmInGaAsP/InP发光管退化的研究[J]. 发光学报, 1986,7(3): 281-286
Zhang Guicheng. STUDY OF THE DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR THE InGaAsP/InP DH LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(3): 281-286
张桂成. 1.3μmInGaAsP/InP发光管退化的研究[J]. 发光学报, 1986,7(3): 281-286 DOI:
Zhang Guicheng. STUDY OF THE DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR THE InGaAsP/InP DH LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(3): 281-286 DOI:
研究了InGaAsP/InP双异质结发光管在老化
存储过程中的退化现象及其影响因素.有快慢二种退化模式
正向
I-V
特性变坏是产生突然退化的最主要因素
焊料的润湿不良是导致器件退化的原因之一;在70℃
85℃老化及存储过程中
个别器件有源区内有DSD产生并长大
这并不是引起突然退化的原因.
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CSCD
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