硒化锌晶体背景深能级的光电容谱

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硒化锌晶体背景深能级的光电容谱

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱
- PHOTOCAPACITANCE SPECTRA OF BACKGROUND DEEP LEVELS IN ZnSe
- 发光学报 1986年7卷第2期页码：193-199
- 作者机构：
  
  1. 北京师范大学物理系
  2. 中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1985-07-06，
  
  纸质出版：1986-05-30
- 稿件说明：
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杨锡震, 潘维, 喀蔚波, 刘玉梁, 范希武. 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱[J]. 发光学报, 1986,7(2): 193-199

Yang Xi-zhen(X. Z. Yang), Pan Wei, Ka Wei-bo, Liu Yu-liang, Fan Xi-wu. PHOTOCAPACITANCE SPECTRA OF BACKGROUND DEEP LEVELS IN ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(2): 193-199
杨锡震, 潘维, 喀蔚波, 刘玉梁, 范希武. 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱[J]. 发光学报, 1986,7(2): 193-199 DOI：

Yang Xi-zhen(X. Z. Yang), Pan Wei, Ka Wei-bo, Liu Yu-liang, Fan Xi-wu. PHOTOCAPACITANCE SPECTRA OF BACKGROUND DEEP LEVELS IN ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(2): 193-199 DOI：

对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。

在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的电容瞬变过程呈现双指数行为。回归分析结果表明样品中存在六个深能级

分别位于导带下方0.55

0.66

0.92

1.19

1.38和1.S2eV处。

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