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吉林大学电子科学系
收稿:1985-05-25,
纸质出版:1985-11-30
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王雷, 高鼎三. HgCdTe材料应用与制备的进展[J]. 发光学报, 1985,6(4): 369-377
Wang Lei, Gao Dingsan. PROGRESS IN APPLICATION AND PREPARATION OF HgCdTe MATERIAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(4): 369-377
王雷, 高鼎三. HgCdTe材料应用与制备的进展[J]. 发光学报, 1985,6(4): 369-377 DOI:
Wang Lei, Gao Dingsan. PROGRESS IN APPLICATION AND PREPARATION OF HgCdTe MATERIAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(4): 369-377 DOI:
HgCdTe是一种有广泛应用前景的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光电材料。从投资上看
它已为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。HgCdTe是制作红外探测器的最佳材料。本文简要地介绍了HsCdTe材料的性质以及它的应用和制备进展
着重描述了在红外探测器上的应用。对制备HgCdTe单晶的各种工艺方法作了比较说明
较详细地介绍了滑动液相外延(LPE)制备HgCdTe单晶薄膜技术。
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